CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Terahertz GaAs Schottky diode mixer and multiplier MIC’s based on e-beam technology

Vladimir Drakinskiy (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Peter Sobis ; Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ; Extern) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) (1092-8669). (2013)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We present the progress of the technological development of a full e-beam based monolithically integrated Schottky diode process applicable for sub-millimetre wave multipliers and mixers. Evaluation of the process has been done in a number of demonstrators showing state-of-the-art performance, including various multiplier circuits up to 200 GHz with a measured flange efficiency of above 35%, as well as heterodyne receiver front-end modules operating at 340 GHz and 557 GHz with a measured receiver DSB noise temperature of below 700 K and 1300 K respectively.

Nyckelord: Schottky diodes, passive circuits, membrane, submillimeter wave mixers, multipliers



Denna post skapades 2013-09-06. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 182857

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)