CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High quality strain-compensated multiple InAs/AlGaNAs quantum dot layers grown by MBE

Hong Ye (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Yuxin Song (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Zonghe Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Y. Gu ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics, Vol 10, No 5 (1862-6351). Vol. 10 (2013), 5, p. 765-768.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Intermediate band solar cells have attracted significant interest as a possible means of achieving high conversion efficiency. Under optimized growth parameters, we successfully achieve a high density of uniform InAs QDs grown on various matrixes by molecular beam epitaxy. Incorporating N atoms into GaAs and AlGaAs barriers effectively compensates the internal compressive strain and avoids formation of dislocations and defects. The 50 stacking of high density and uniform InAs QDs was demonstrated without detectable dislocations using 26 nm GaNAs as a barrier.

Nyckelord: InAs quantum dot, multi-stack, strain compensation



Denna post skapades 2013-09-03. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 182736

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)