CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Influence of thin GaAs and AlAs cap layers on the structural properties of InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy

Fariba Ferdos (Institutionen för mikroelektronik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroelektronik) ; Yong Qiang Wei (Institutionen för mikroelektronik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroelektronik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap) ; Qing Xiang Zhao (forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik)
International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 2002 p. 285-6. (2002)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Self-organised InAs quantum dots (QDs) are used as optical gain material in long wavelength lasers on GaAs. The measured QD height and density are often used as figures of merits, and great efforts have been made to maximise these two parameters to extend the wavelength coverage. In this work, we investigate the influence of initial GaAs and AlAs cap layers on the structural properties of InAs QDs. The study clearly shows that capping of InAs QDs causes a strong modification of not only the QD shape and height but also the QD density

Nyckelord: aluminium compounds, atomic force microscopy, gallium arsenide, III-V semiconductors, indium compounds, molecular beam epitaxial growth, semiconductor growth, semiconductor quantum dots



Denna post skapades 2006-09-28. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 18259

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroelektronik (1995-2003)
Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap (1900-2003)
forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik (1997-2004)

Ämnesområden

Halvledarfysik
Fotonik

Chalmers infrastruktur