CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Influence of a thin GaAs cap layer on structural and optical properties of InAs quantum dots

Fariba Ferdos (Institutionen för mikroelektronik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroelektronik) ; Yong Qiang Wei (Institutionen för mikroelektronik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroelektronik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap) ; Qing Xiang Zhao (forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik)
Applied Physics Letters (0003-6951). Vol. 81 (2002), 7, p. 1195-7.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

In this letter we investigate the changes in the surface morphology and emission wavelength of InAs quantum dots (QDs) during initial GaAs encapsulation by atomic force microscopy and photoluminescence. The density (2.9×1010 cm-2) and height (7.9±0.4 nm) of the uncapped QDs decrease and saturate at 0.6×1010 cm-2 and 4 nm, respectively, after the deposition of 4 monolayers (MLs) of GaAs. A model for the evolution of surface morphology is proposed. Photoluminescence spectra of the surface dots show a wavelength shift from 1.58 to 1.22 ?m when the GaAs capping layer thickness increases from 0 to 8 MLs.

Nyckelord: atomic force microscopy, encapsulation, gallium arsenide, III-V semiconductors, indium compounds, photoluminescence, semiconductor quantum dots, surface structure

Denna post skapades 2006-09-28. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 18257


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroelektronik (1995-2003)
Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap (1900-2003)
forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik (1997-2004)



Chalmers infrastruktur