CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Influence of initial GaAs and AlAs cap layers on InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy

Fariba Ferdos (Institutionen för mikroelektronik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroelektronik) ; Yong Qiang Wei (Institutionen för mikroelektronik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, MC2 process laboratorium) ; Qing Xiang Zhao (forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroelektronik)
Journal of Crystal Growth (0022-0248). Vol. 251 (2003), 1-4, p. 145-9.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Capping of InAs quantum dots (QDs) with AlAs or GaAs causes a significant change in the structural properties of the QDs. However, there is a basic difference between these two capping materials. The GaAs capping causes a dramatic reduction of the dot density and height. AlAs capping, on the other hand, results in a partly suppressed height reduction and a higher dot density.

Nyckelord: aluminium compounds, gallium arsenide, III-V semiconductors, indium compounds, molecular beam epitaxial growth, semiconductor epitaxial layers, semiconductor growth, semiconductor quantum dots



Denna post skapades 2006-09-28. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 18256

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroelektronik (1995-2003)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, MC2 process laboratorium (2003-2005)
forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik (1997-2004)

Ämnesområden

Halvledarfysik
Fotonik

Chalmers infrastruktur