CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Very low threshold current density of 1.3 um GaInNAs single quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy

Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Yong Qiang Wei (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Xia Dong Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Edinburgh, UK, August 22-27, 2004 (2004)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 1815