CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Wavelenght extension of highly-strained InGaAs/GaAs quantum well laser diodes by dipole delta-doping

Xiao Dong Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Yong Qiang Wei (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Qing Xiang Zhao (forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
IPRM04, Kagoshime, Japan, May 31 - June 4, 2004 (2004)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2006-09-28. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 1812

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik (1997-2004)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur