CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Silicon Integrated InGaAs/InAlAs/AlAs HBV Frequency Tripler

Aleksandra Malko (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
IEEE Electron Device Letters (0741-3106). Vol. 34 (2013), 7, p. 843 - 845.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

e present an integrated heterostructure barrier varactor frequency tripler on silicon substrate. The InGaAs/InAlAs/AlAs material structure is transferred onto the silicon wafer using low-temperature plasma-assisted bonding. The presented multiplier operates in the W-band (90–110 GHz). The module delivers 22.6 dBm, with a conversion loss of 6 dB, and 9% 3-dB bandwidth.

Nyckelord: Frequency multipliers, III–V semiconductors, heterogeneous integration, heterostructure barrier varactors, integrated circuits, millimeter-wave diodes, silicon, wafer bonding



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2013-07-02. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 179676

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)