CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Cryogenic Operation of InAs/AlSb HEMT Hybrid LNAs

Giuseppe Moschetti (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Wadefalk (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Morteza Abbasi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; L. Desplanque ; X. Wallart ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
15th European Microwave Week - Space for Microwaves Conference Proceedings. Amsterdam, NETHERLANDS. OCT 28-NOV 02, 2012 p. 373-376. (2012)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

The suitability of InAs/AlSb HEMTs for cryogenic ultra low-power applications is investigated. Compared to room temperature, the device exhibited significantly improved drain current saturation, higher peak transconductance and lower gate current leakage at around 10 K. When tested in a three-stage hybrid 4-8 GHz LNA under cryogenic conditions, the LNA noise figure was 0.27 dB at an extremely low power consumption of 0.6 mW per stage.

Nyckelord: InAs/AlSb, high electron mobility transistor (HEMT), low noise, ultra-low power, Hybrid, LNA



Denna post skapades 2013-07-01. Senast ändrad 2015-03-03.
CPL Pubid: 179565