CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Nanoscale interaction layer at the interface between Al films and SiO2 substrates of Al/AlOx/Al Josephson tunnel junctions

Lunjie Zeng (Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group ) ; Tine Greibe (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Samira Mousavi Nik (Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group ) ; Christopher Wilson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Per Delsing (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Eva Olsson (Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group )
Journal of Applied Physics (0021-8979). Vol. 113 (2013), 14, p. Art. no. 143905.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

An interaction layer is found at the Al/SiO2 interface in Al/AlOx/Al tunnel junctions grown on SiO2 substrates. The amorphous intermixing layer has an average thickness of about 5 nm. We present the detailed structure of this interfacial layer as determined by transmission electron microscopy. The layer contains alumina with aluminum being octahedrally coordinated according to electron energy loss spectroscopy analysis rather than tetrahedrally coordinated, where the latter coordination is the most common type in amorphous alumina. Depth profiles of the Al-O and Si-O bonding characteristics were also investigated using energy loss near edge structure.



Denna post skapades 2013-06-17. Senast ändrad 2016-07-12.
CPL Pubid: 178595

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group (2012-2015)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik

Ämnesområden

Teknisk fysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


The Functional Microstructure of Al/AlOx/Al Tunnel Junctions