CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

HfO2 for strained-Si and strained-SiGe MOSFETs

M. Y. A. Yousif (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Mikael Johansson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Per Lundgren (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Stefan Bengtsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; J. Sundqvist ; Anders Harsta ; H. H. Radamson
ESSDERC 2003. Proceedings of the 33rd European Solid-State Device Research - ESSDERC '03 p. 255. (2003)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We report on HfO2 gate dielectrics grown by atomic layer deposition (ALD) at 600°C on strained-Si and strained-SiGe layers. The strain status in the Si layer remained unaltered after HfO2 deposition and an interface state density of ~1×1011 cm-2 eV-1 was obtained for the case of thick HfO2 films. The breakdown fields were in the range 2-5 MV/cm, which is high compared to HfO2 films grown at higher temperatures. The leakage current was reduced by more than five orders of magnitude for the case of a thin HfO2 film with an EOT of 1.25 nm and ultra-thin cap (2.5-3 nm) layers on Si0.77Ge0.23/Si. The carrier transport through these HfO2 films was found to follow Frenkel-Poole emission over a wide range of applied gate voltage

Nyckelord: atomic layer deposition, dielectric thin films, elemental semiconductors, Ge-Si alloys, hafnium compounds, interface states, leakage currents, MOSFET, Poole-Frenkel effect, semiconductor device breakdown, semiconductor materials, silicon



Denna post skapades 2007-01-15. Senast ändrad 2015-12-17.
CPL Pubid: 17795

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik (2003-2006)

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur