CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Effect of Si cap layer on parasitic channel operation in Si/SiGe metal-oxide-semiconductor structures

Alok Sareen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Y. Wang ; Ulf Södervall (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, MC2 process laboratorium) ; Per Lundgren (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Stefan Bengtsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik)
Journal Of Applied Physics Vol. 93 (2003), 6, p. 3545-3552.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-01-15. Senast ändrad 2015-12-17.
CPL Pubid: 17763

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik (2003-2006)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, MC2 process laboratorium (2003-2005)

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur