CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Self heating effects of high power SOI vertical DMOS transistor with lateral drain contacts

Kuntjoro Pinardi (Institutionen för mikroelektronik) ; Ulrich Heinle ; Stefan Bengtsson (Institutionen för mikroelektronik) ; Jörgen Olsson
Physica Scripta (0031-8949). Vol. T101 (2002), p. 38-41.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2006-08-28. Senast ändrad 2015-02-11.
CPL Pubid: 17756

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroelektronik (1995-2003)

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur