CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High-power SOI vertical DMOS transistors with lateral drain contacts: Process developments, characterization, and modeling

Kuntjoro Pinardi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Ulrich Heinle ; Stefan Bengtsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Jörgen Olsson ; J. P. Colinge
Ieee Transactions On Electron Devices Vol. 51 (2004), 5, p. 790-796.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-01-15. Senast ändrad 2015-02-11.
CPL Pubid: 17747

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik (2003-2006)

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur