CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Selective growth of individual multiwalled carbon nanotubes

Raluca Elena Morjan (Institutionen för experimentell fysik, Atomfysik) ; Mohammad Kabir (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; SangWook Lee ; Oleg Nerushev ; Per Lundgren (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Stefan Bengtsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Y. W. Park ; Eleanor E B Campbell
Current Applied Physics (1567-1739). Vol. 4 (2004), 6, p. 591-594.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Growth of individual, vertically aligned multiwalled carbon nanotubes (VACNT) on patterned Si wafers using dc plasma-enhanced CVD is described. The selective growth of individual VACNT within larger holes etched in Si is demonstrated for the first time.

Nyckelord: Plasma-enhanced chemical vapour deposition, PECVD, Multiwalled carbon nanotubes, Controlled individual growth



Denna post skapades 2007-01-15. Senast ändrad 2015-12-17.
CPL Pubid: 17746

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för experimentell fysik, Atomfysik (1997-2005)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik (2003-2006)
Institutionen för fysik (GU) (GU)

Ämnesområden

Fysik
Elektronik

Chalmers infrastruktur