CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

HfO2 gate dielectrics on strained-Si and strained-SiGe layers

Mikael Johansson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Mahdi Yousif (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Per Lundgren (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Stefan Bengtsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; J. Sundqvist ; Anders Harsta ; H. H. Radamson
Semiconductor Science And Technology Vol. 18 (2003), 9, p. 820-826.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-01-15. Senast ändrad 2015-12-17.
CPL Pubid: 17740

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik (2003-2006)

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur