CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Properties of Al2O3-films deposited on silicon by atomic layer epitaxy

Per Ericsson (Institutionen för fasta tillståndets elektronik) ; Stefan Bengtsson (Institutionen för fasta tillståndets elektronik) ; Jarmo Skarp
Microelectronic Engineering Vol. 36 (1997), 1-4, p. 91-94.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2006-09-19. Senast ändrad 2015-02-11.
CPL Pubid: 17732

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för fasta tillståndets elektronik (1985-1998)

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur