CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Metal-Free Graphene as Transparent Electrode for GaN-Based Light-Emitters

Martin Stattin (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; César Javier Lockhart de la Rosa (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Jie Sun (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Avgust Yurgens (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Åsa Haglund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Japanese Journal of Applied Physics (0021-4922). Vol. 52 (2013), p. 08JG05.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Graphene contacts to p-GaN are considered as an alternative to indium–tin-oxide transparent electrodes in GaN based vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). Contact properties were investigated on light-emitting diode and p-GaN test structures, where dielectric apertures were used to eliminate the influence of the metal pads used to bias the contacts. Using single layer graphene we were able to operate light emitting diodes with current densities of 300 A/cm2. Addition of a second layer of graphene increased the maximum bias current to 1 kA/cm2. However, the contacts are non-linear and cannot withstand high current densities for a long time. The results are promising but further investigation and improvement is needed for graphene to be a viable alternative to indium–tin-oxide for blue VCSELs.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2013-05-20. Senast ändrad 2013-10-30.
CPL Pubid: 177085

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)