CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High-Speed Oxide Confined 850-nm VCSELs Operating Error-Free at 40 Gb/s up to 85 degrees C

Petter Westbergh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Rashid Safaisini (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Erik Haglund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Johan S. Gustavsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; M. Geen ; R. Lawrence ; A. Joel ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
IEEE Photonics Technology Letters (1041-1135). Vol. 25 (2013), 8, p. 768-771.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We present the temperature dependence of the performance characteristics of our latest generation high-speed oxide confined 850-nm vertical cavity surface-emitting lasers (VCSELs). Using a 7-mu m oxide aperture diameter VCSEL, we demonstrate a maximum modulation bandwidth of similar to 27 GHz at room temperature and similar to 21 GHz at 85 degrees C. With a new highspeed optical receiver, these bandwidths enable error-free data transmission ( defined as a bit-error-rate < 10(-12)) at bit-rates up to 47 Gb/s at room temperature, and up to 40 Gb/s at 85 degrees C.

Nyckelord: High-speed modulation, optical interconnects, semiconductor lasers, vertical cavity surface-emitting laser



Denna post skapades 2013-05-13. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 176797

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)