CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

The influence of process-induced defects on electrical properties of silicon junctions

Gert I. Andersson (Institutionen för fasta tillståndets elektronik)
Göteborg : Chalmers University of Technology, 1992. ISBN: 91-7032-675-4.- v, 66 s. s.
[Doktorsavhandling]

Nyckelord: silicon emitter junctions, shallow doping, tunneling, deep-level transient spectroscopy, discrete conductance fluctuation,



Denna post skapades 2013-05-02. Senast ändrad 2013-09-25.
CPL Pubid: 176417

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för fasta tillståndets elektronik (1985-1998)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur

Ingår i serie

Technical report - School of Electrical and Computer Engineering, Chalmers University of Technology, Göteborg, Sweden 226


Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola. Ny serie 844