CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Characterization and modeling of electrically active point defects in silicon/silcon dioxide structures

Mats O. Andersson (Institutionen för fasta tillståndets elektronik)
Göteborg : Chalmers University of Technology, 1991. ISBN: 91-7032-632-0.- 45 s. s.
[Doktorsavhandling]

Nyckelord: electro-optical techniques, MOS capacitors,



Denna post skapades 2013-04-26. Senast ändrad 2013-09-25.
CPL Pubid: 176224

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för fasta tillståndets elektronik (1985-1998)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur

Ingår i serie

Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola. Ny serie 829


Technical report - School of Electrical and Computer Engineering, Chalmers University of Technology, Göteborg, Sweden 220