CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Modeling of Sb-heterostructure backward diode for millimeter- and submillimeter-wave detection

Parisa Yadranjee Aghdam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
Physica Status Solidi. C, Current topics in solid state physics (1610-1634). Vol. 10 (2013), 5, p. 777-781.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We present modeling of Sb-heterostructure backward tunneling diode (Sb-HBD) for high efficient millimeter- and submillimeter wave detection. The diode heterostructure is modeled and optimized using TCAD software implementing a non-local band-to-band tunneling model combining with the standard drift-diffusion model. The physical device model was found to be in good agreement with reported experimental results. InAsSb/AlSb/AlGaSb structures were proposed and simulated considering the material growth. The potential of the Sb-HBDs for high frequency operation applications is investigated.

Nyckelord: millimeter and submillimeter wave; detector; semiconductor device modeling; heterostructure backward tunneling diode

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2013-04-04. Senast ändrad 2014-11-27.
CPL Pubid: 175346


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Denna publikation är ett resultat av följande projekt:

Stochastic models of gene and species trees (VR//2010-5623)