CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Characterization and Modeling of Cryogenic Ultralow-Noise InP HEMTs

Joel Schleeh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Helena Rodilla (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Niklas Wadefalk (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum)
IEEE Transactions on Electron Devices (0018-9383). Vol. 60 (2013), 1, p. 206-212.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Detailed S-parameter and noise characterization and modeling of ultralow-noise InP/InAlAs/InGaAs high-electron mobility transistors (InP HEMTs) optimized for operation at 10 K are presented. At the optimum low-noise bias at 10 K, the InP HEMT exhibited a 60% improvement in cutoff frequency f(T) and a 100% improvement in dc transconductance g(m) compared with 300 K. A small-signal noise model was evaluated at different bias conditions at 10 and 300 K. The bias dependence of the minimum noise temperature at low-noise operation was modeled at 10 K. The temperature dependence of the threshold voltage V-T,V- gm, and gate-source and gate-drain capacitances C-gs and C-gd indicated that the excellent cryogenic noise performance of optimized InP HEMTs is due to a higher degree of confinement in the carrier concentration closest to the gate at 10 K compared with 300 K. As a result, a fast depletion of the HEMT channel with respect to drain current I-d occurs under cryogenic operation.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2013-04-02. Senast ändrad 2015-02-11.
CPL Pubid: 175213

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)