CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Fabrication and DC characterization of InAs/AlSb self-switching diodes

Andreas Westlund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Giuseppe Moschetti (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (1092-8669). p. 65-68. (2012)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Fabrication and DC measurements of an InAs/AlSb self-switching diode (SSD), aimed for THz detection, is presented. An SSD with a channel width of 160 nm and a trench width of 240 nm was designed and fabricated in a process using an in situ passivation procedure of the oxidation-sensitive trench. Rectifying behavior was observed in the I-V characteristics. The device performance was relatively stable over a period of three months.


Article number 6403320



Denna post skapades 2013-02-25. Senast ändrad 2016-06-28.
CPL Pubid: 174067

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)