CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Source-drain scaling of ion-implanted InAs/AlSb HEMTs

Giuseppe Moschetti (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; A. Hallen ; L. Desplanque ; X. Wallart ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (1092-8669). p. 57-60. (2012)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We report on the lateral scaling of true planar InAs/AlSb high electron mobility transistors (HEMTs) based on ion implantation for device isolation. When reducing the source drain distance, dsd, from 2.5 μm to 1 μm, the HEMTs showed up to 56% higher maximum drain current, 23% higher peak transconductance and T of 185 GHz (+32%). A trade-off in the lateral scaling is needed due to increased gate leakage current and pinch-off degradation for dsd below 1.5 μm. The ability to withstand oxidation of the InAs/AlSb heterostructure makes the planar technology based on ion implantation extremely promising for MMIC integration of InAs/AlSb HEMTs.

Nyckelord: InAs/AlSb HEMT, ion implantation, lateral scaling, low-power, MMIC, oxidation resistant

Denna post skapades 2013-02-25.
CPL Pubid: 174049


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik


Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur