CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Analytical Extraction of a Schottky Diode Model from Broadband S-parameters

Aik Yean Tang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ; GigaHertz Centrum) ; Vladimir Drakinskiy (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ; GigaHertz Centrum) ; Klas Yhland (GigaHertz Centrum) ; Jörgen Stenarson (GigaHertz Centrum) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ; GigaHertz Centrum) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ; GigaHertz Centrum)
IEEE transactions on microwave theory and techniques (0018-9480). Vol. 61 (2013), 5, p. 1870-1878.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We present an analytic method to extract Schottky diode parasitic model parameters. All the ten unknown model parameters are extracted via a straightforward step-by-step procedure. The challenges for a proper finger inductance and series resistance extraction are discussed and solutions are recommended. The proposed method is evaluated using three sets of S-parameter data for GaAs-based planar Schottky diodes, i.e., data from measurement up to 110 GHz and 3-D electromagnetic full-wave simulations up to 600 GHz. The extracted models agree well with the measured and simulated data.

Nyckelord: Analytical model, equivalent circuits, millimeter-wave devices, modeling, multibias, parameter extraction, scattering parameters, Schottky diodes, terahertz.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2013-02-23. Senast ändrad 2016-03-31.
CPL Pubid: 174024

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)