CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Energy loss rates of hot Dirac fermions in epitaxial, exfoliated, and CVD graphene

A. M. R. Baker ; J. A. Alexander-Webber ; T. Altebaeumer ; S. D. McMullan ; Tjbm Janssen ; A. Tzalenchuk ; Samuel Lara-Avila (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Sergey Kubatkin (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; R. Yakimova ; C. T. Lin ; L. J. Li ; R. J. Nicholas
Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics (1098-0121). Vol. 87 (2013), 4, p. art. no. 045414.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Energy loss rates for hot carriers in graphene have been measured using graphene produced by epitaxial growth on SiC, exfoliation, and chemical vapor deposition (CVD). It is shown that the temperature dependence of the energy loss rates measured with high-field damped Shubnikov-de Haas oscillations and the temperature dependence of the weak localization peak close to zero field correlate well, with the high-field measurements understating the energy loss rates by similar to 40% compared to the low-field results. The energy loss rates for all graphene samples follow a universal scaling of T-e(4) at low temperatures and depend weakly on carrier density proportional to n(-1/2), evidence for enhancement of the energy loss rate due to disorder in CVD samples.

Nyckelord: electron, oscillations



Denna post skapades 2013-02-13. Senast ändrad 2015-10-22.
CPL Pubid: 173550

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur

 


Projekt

Denna publikation är ett resultat av följande projekt:


New Electronics Concept: Wafer-Scale Epitaxial Graphene (CONCEPTGRAPHENE) (EC/FP7/257829)