CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Cryogenic InAs/AlSb HEMT Wideband Low-Noise IF Amplifier for Ultra-Low-Power Applications

Giuseppe Moschetti (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Wadefalk (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Morteza Abbasi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; L. Desplanque ; X. Wallart ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Microwave and Wireless Components Letters (1531-1309). Vol. 22 (2012), 3, p. 144-146 .
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

A cryogenic wideband 4-8 GHz hybrid low-noise amplifier, based on a 110 nm gate length InAs/AlSb HEMT process is presented. At room temperature the three-stage amplifier exhibited a transducer gain of 29 dB and a noise temperature of 150 K with 17.6 mW power consumption. When cooled to 13 K, the amplifier showed a minimum noise temperature of 19 K at a power consumption of 6 mW (66% reduction compared to room temperature). At cryogenic temperature, the optimum drain voltage for best noise performance was reduced from 0.55 V down to 0.3 V, demonstrating the very low-power and low-voltage capabilities of InAs/AlSb HEMT based low-noise amplifiers at cryogenic temperature.

Nyckelord: Cryogenic, InAs/AlSbHEMT, low-noise amplifier (LNA), low-power



Denna post skapades 2013-01-21. Senast ändrad 2016-06-29.
CPL Pubid: 171875

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur