CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Linearization Study of a Highly Efficient CMOS-GaN RF Pulse Width Modulation Based Transmitter

Mustafa Özen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Christer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Thomas Eriksson (Institutionen för signaler och system, Kommunikationssystem ; GigaHertz Centrum) ; Mustafa Acar ; Rik Jos (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; Extern ; GigaHertz Centrum) ; Christian Fager (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum)
European Microwave Conference p. 136-139. (2012)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

This paper studies linearity of a 2 GHz, 10 Watt peak output power RF pulse width modulation (RF-PWM) based transmitter. The transmitter incorporates a tunable load network class-E PA as the final output stage. The tunable load network enables dynamic optimization of the class-E along with the duty cycle resulting in high efficiency over a wide range of output power levels. A digital predistiortion based linearization scheme is proposed to enhance the linearity of the transmitter. After linearization, the transmitter exhibits an adjacent channel power ratio (ACPR) of -45 dBc with a 3.84 MHz, 6.7 dB peak-to-average power ratio (PAPR) W-CDMA signal. The average drain efficiency of the GaN HEMT output stage is 67% and the total transmitter efficiency is 54%.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2013-01-10. Senast ändrad 2016-02-01.
CPL Pubid: 170026