CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Inhomogeneous Microstructure and Electrical Transport Properties at the LaAlO3/SrTiO3 Interface

Alexei Kalaboukhov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Tord Claeson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Pier Paolo Aurino (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Robert Gunnarsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Dag Winkler (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Eva Olsson (Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group ) ; Nikolina Tuzla (Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group ) ; Johan Börjesson (Institutionen för teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys ; Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group ) ; Yu Cao (Institutionen för material- och tillverkningsteknik, Yt- och mikrostrukturteknik) ; Lars Nyborg (Institutionen för material- och tillverkningsteknik, Yt- och mikrostrukturteknik) ; Y. A. Boikov ; I. T. Serenkov ; V. I. Sakharov ; M. P. Volkov
Japanese Journal of Applied Physics (0021-4922). Vol. 51 (2012), 11(spec.issue), p. article no. 11PG10 .
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Medium-energy ion spectroscopy (MEIS), scanning transmission electron microscopy (STEM) and X-ray photoemission spectroscopy (XPS) were used to investigate the composition and microstructure of LaAlO3/SrTiO3 (LAO/STO) interfaces grown by pulsed laser deposition of LAO on TiO2-terminated STO substrates under different oxidizing conditions. MEIS and XPS indicated Sr/La and Al/Ti intermixing within several atomic layers at all studied interfaces. XPS and STEM revealed that La diffuses deeper than Al. Analysis of the MEIS data suggests inhomogeneous lateral distribution of the diffused elements. This is further supported by the observation of a large positive magneto-resistance at low temperatures. We discuss the role of lateral inhomogeneities on the formation of the electron gas at the LAO/STO interface.

Nyckelord: oxide heterostructures, room-temperature, heterointerface, growth



Denna post skapades 2013-01-08. Senast ändrad 2016-02-01.
CPL Pubid: 169578

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik
Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group (2012-2015)
Institutionen för teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys (2005-2012)
Institutionen för material- och tillverkningsteknik, Yt- och mikrostrukturteknik (2005-2017)

Ämnesområden

Ytor och mellanytor

Chalmers infrastruktur