CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Optimized InP HEMTs for low noise at cryogenic temperatures

Helena Rodilla (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Joel Schleeh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
24th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) (1092-8669). p. 241-244. (2012)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Experimental results and Monte Carlo simulations have been analyzed and compared at 300 K and 77 K for 130 nm gate-length InP HEMTs optimized for cryogenic 4-8 GHz low-noise amplifiers. The good agreement observed between simulations and experimental data for DC and small signal equivalent circuit parameters validates the simulation model. Compared to 300 K, an increase of 17% in the simulated mean electron velocity under the gate was observed at low drain current (100 mA/mm) when operating the device at 77 K. In addition, a better electron confinement in the channel was noted. The observations are consistent with an increase of the slope of the transconductance versus gate bias with reduced temperature. The high transconductance at low drain current is crucial for low noise operation of the InP HEMT at low temperature.

Nyckelord: InP high electron mobility transistors, Cryogenic temepratures, Monte Carlo simulations, low noise

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2012-12-18. Senast ändrad 2015-02-11.
CPL Pubid: 168199


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)