CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Direct Chemical Vapor Deposition of Large-Area Carbon Thin Films on Gallium Nitride for Transparent Electrodes: A First Attempt

Jie Sun (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; M. T. Cole ; S. Awais Ahmad (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Olof Bäcke (Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group ) ; Tommy Ive (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Markus Löffler (Institutionen för teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys ; Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group ) ; Niclas Lindvall (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Eva Olsson (Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group ) ; K. B. K. Teo ; Johan Liu (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Avgust Yurgens (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Åsa Haglund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Semiconductor Manufacturing, IEEE Transactions on (0894-6507). Vol. 25 (2012), 3, p. 494-501.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Direct formation of large-area carbon thin films on gallium nitride by chemical vapor deposition without metallic catalysts is demonstrated. A high flow of ammonia is used to stabilize the surface of the GaN (0001)/sapphire substrate during the deposition at 950 degrees C. Various characterization methods verify that the synthesized thin films are largely sp(2) bonded, macroscopically uniform, and electrically conducting. The carbon thin films possess optical transparencies comparable to that of exfoliated graphene. This paper offers a viable route toward the use of carbon-based materials for future transparent electrodes in III-nitride optoelectronics, such as GaN-based light emitting diodes and laser diodes.

Nyckelord: III-V semiconductors, ammonia, chemical vapour deposition, Chemical vapor deposition, GaN, graphene, transparent electrodes



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2012-12-18. Senast ändrad 2016-10-26.
CPL Pubid: 168099

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik
Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group (2012-2015)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Institutionen för teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys (2005-2012)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem (2007-2015)

Ämnesområden

Nanovetenskap och nanoteknik
Elektronik

Chalmers infrastruktur

NFL/Myfab (Nanofabrication Laboratory)