CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Extraction of an Electrothermal Mobility Model for AlGaN/GaN Heterostructures

Hans Hjelmgren (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Mattias Thorsell (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Trans Electron Devices (0018-9383). Vol. 59 (2012), 12, p. 3344-3349.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

An electron mobility model for AlGaN/GaN heterostructures taking both the lattice temperature and electric field into account is proposed. Numerical device simulation of an ungated Al0.25Ga0.75N/GaN HEMT structure on 4H-SiC substrate is compared to measured electrical characteristics. Mobility model parameters are extracted by comparing iso-thermal numerical simulations with microwave (6 GHz) large signal measurements. The extracted model was used in static simulations, showing good agreement with measurements.

Nyckelord: Gallium nitride, HEMTs, heterojunctions, numerical simulation



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2012-11-19. Senast ändrad 2015-07-28.
CPL Pubid: 166330

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)