Spatial variation of hole eigen energies in Ge/Si quantum wells
Författare och institution:
M. Kaniewska (-); Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik); A. Karmous (-); O. Kirfel (-); E. Kasper (-); Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap); Johan Piscator (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap); G. Zaremba (-); M. Kaczmarczyk (-); M. Wzorek (-); A. Czerwinski (-); B. Surma (-); A. Wnuk (-)
Publicerad i:
AIP Conference Proceedings, 1399 s. 293-294
ISBN:
978-073541002-2
ISSN:
0094243X
Publikationstyp:
Konferensbidrag, refereegranskat
Publiceringsår:
2011
Språk:
engelska
Fulltextlänk:
Sammanfattning (abstract):
Ge quantum well (QW) structures were prepared through Si-capping of 3.3 ML of Ge by MBE on p +-(001) Si substrates at a growth temperature of 550°C. The spatial variation of hole eigen energies in the QW were revealed by DLTS. Depending on the position on the wafer surface, the hole emission may be imposed by a lateral quantum confinement effect. Results of a study by HRTEM methods demonstrate pronounced fluctuations of the QW thickness and variations of the strain field in the QW.
Ämne (baseras på Högskoleverkets indelning av forskningsämnen):
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER ->
Annan teknik ->
Övrig annan teknik ->
Materialfysik med ytfysik
Annan teknik ->
Övrig annan teknik ->
Materialfysik med ytfysik
Nyckelord:
DLTS, Ge/Si, HRTEM, MBE, QWs
Postens nummer:
166100
Posten skapad:
2012-11-15 10:51