CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Mn-induced modifications of Ga 3d photoemission from (Ga, Mn) As: evidence for long range effects

Janusz Kanski (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Intikhab Ulfat (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Lars Ilver (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; M. Leandersson ; J. Sadowski ; K. Karlsson ; P. Pal
Journal of Physics-Condensed Matter (0953-8984). Vol. 24 (2012), 43,
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Using synchrotron based photoemission, we have investigated the Mn-induced changes in Ga 3d core level spectra from as-grown Ga1-xMnxAs. Although Mn is located in Ga substitutional sites, and therefore does not have any Ga nearest neighbors, the impact of Mn on the Ga core level spectra is pronounced even at Mn concentrations in the region of 0.5%. The analysis shows that each Mn atom affects a volume corresponding to a sphere with around 1.4 nm diameter.

Nyckelord: magnetic semiconductor, acceptor

Denna post skapades 2012-11-09.
CPL Pubid: 165786


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik (2005-2015)



Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:

Detailed photoemission studies of the prototype diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As