CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

The influence of gate material, SiO2 fabrication method and gate edge effect on interface trap density in 3C-SiC MOS capcitors

T. Gutt ; T. Malachowski ; H. M. Prewlocki ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; M. Bakowski ; R. Esteve
Material Science Forum (0255-5476). Vol. 117 (2012), p. 109.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2012-11-09. Senast ändrad 2012-12-03.
CPL Pubid: 165755