CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Integrated III-V Heterostructure Barrier Varactor frequency tripler on a silicon substrate

Aleksandra Malko (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
7th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Amsterdam, 29-30 Oct. 2012. p. 516-519. (2012)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We report on the RF characterization of a monolithically integrated III-V H eterostructure Barrier Varactor (HBV) frequency tripler on a silicon substrate. A process of a low-temperature plasma-assisted bonding was introduced to transfer an InGaAs/InAlAs/AlAs H BV onto a silicon wafer. The frequency of operation for the presented frequency tripler is in the range of 96-108GHz. The maximum output power measured for the demonstrated device is 66mW, which corresponds to an efficiency of 10%.

Nyckelord: Epitaxial transfer, frequency tripler, heterostrucutre barrier varactor (HBV), millimeter-wave, W-band



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2012-11-04. Senast ändrad 2017-01-27.
CPL Pubid: 165462