CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

On the large-signal modeling of High Power AlGaN/GaN HEMTs

Iltcho Angelov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Mattias Thorsell (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; E. Kuwata ; H. Ohtsuka ; K. Yamanaka
2012 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2012, Montreal, 17-22 June 2012 (0149-645X). (2012)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

In this paper are given some recent results on modeling of High Power GaN HEMT devices. The GaN HEMT is very promising for high power application, but we push device to the limits, so many issues are becoming critical. For example, access resistances Rs, Rd in high power GAN HEMT are bias and temperature dependent-their extraction from cold FET measurements can lead to over optimistic prediction for output power. Thermal management, self-heating modeling are another very important issue-they influence reliability, power and PAE. Models without dynamic self-heating are not practical for GaN. The models without breakdown can easily predict world records for PAE, output power/mm etc. Some examples are given using vectorial Large Signal Measurements (LSNA/NVNA) to provide useful, global info about device behavior, influence of traps, knee voltage walkout etc.

Nyckelord: FET, GaN, Linear, Linearization, Nonlinear Modeling, Power Amplifiers



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2012-10-12. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 164670

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)