CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Breakdown of the quantum Hall effect in graphene

T. J. B. M. Janssen ; A. Tzalenchuk ; A. M. R. Baker ; J. A. Alexander-Webber ; R. J. Nicholas ; R. Yakimova ; Samuel Lara-Avila (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Sergey Kubatkin (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; S. Kopylov ; V. I. Fal'ko
2012 Conference on Precision Electromagnetic Measurements, CPEM 2012, Washington, DC, 1-6 July 2012 (0589-1485). p. 510-511. (2012)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We present experimental details on the carrier density dependent breakdown current in epitaxial graphene grown on SiC. We show that in this system even at very low carrier densities and moderate temperatures it is still possible to have a breakdown current large enough for metrologically accurate quantum Hall resistance measurements. This work paves the way for a simple bench top/turnkey quantum resistance standard.

Nyckelord: Graphene, precision measurement, quantum Hall effect, resistance standard

Denna post skapades 2012-10-12.
CPL Pubid: 164663


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Denna publikation är ett resultat av följande projekt:

New Electronics Concept: Wafer-Scale Epitaxial Graphene (CONCEPTGRAPHENE) (EC/FP7/257829)