CPL - Chalmers Publication Library

Breakdown of the quantum Hall effect in graphene

Författare och institution:
T. J. B. M. Janssen (-); A. Tzalenchuk (-); A. M. R. Baker (-); J. A. Alexander-Webber (-); R. J. Nicholas (-); R. Yakimova (-); Samuel Lara-Avila (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik); Sergey Kubatkin (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik); S. Kopylov (-); V. I. Fal'ko (-)
Publicerad i:
2012 Conference on Precision Electromagnetic Measurements, CPEM 2012, Washington, DC, 1-6 July 2012, s. 510-511
ISBN:
978-146730439-9
ISSN:
0589-1485
Publikationstyp:
Konferensbidrag, refereegranskat
Publiceringsår:
2012
Språk:
engelska
Fulltextlänk:
Sammanfattning (abstract):
We present experimental details on the carrier density dependent breakdown current in epitaxial graphene grown on SiC. We show that in this system even at very low carrier densities and moderate temperatures it is still possible to have a breakdown current large enough for metrologically accurate quantum Hall resistance measurements. This work paves the way for a simple bench top/turnkey quantum resistance standard.
Ämne (baseras på Högskoleverkets indelning av forskningsämnen):
NATURVETENSKAP ->
Fysik
Nyckelord:
Graphene, precision measurement, quantum Hall effect, resistance standard
Projekt:
New Electronics Concept: Wafer-Scale Epitaxial Graphene (CONCEPTGRAPHENE) (EC/FP7/257829) Mer information
Postens nummer:
164663
Posten skapad:
2012-10-12 13:13

Visa i Endnote-format