CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A method to lower VCO phase noise by using HBT darlington pair

Sz-Hau Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; M. Bao ; Dan Kuylenstierna (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum)
2012 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2012, Montreal, 17-22 June 2012 (0149-645X). (2012)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

The paper presents a novel method to enhance tank voltage swing in LC VCOs design using bipolar transistor. The method is successfully demonstrated in an InGaP/GaAs HBT MMIC process. A gm-boosted VCO and a modified version, using Darlington-pair transistors, are compared. The latter exhibits lower phase noise, increased tuning range, and less variation in output power. The gm-boosted VCO has tuning range of 22.8% centered at 5.7GHz and phase noise ranging from 103 to 95 dBc/Hz at offset frequency of 100kHz. The modified version using Darlington pair has tuning range of 26% centered at 5.9 GHz and phase noise ranging from 103.5 to 98.5 dBc/Hz at offset frequency of 100kHz.

Nyckelord: Darlington pair, HBT, MMIC, Phase-noise, VCO



Denna post skapades 2012-10-12. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 164649

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
GigaHertz Centrum

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Oscillator design in III-V technologies