CPL - Chalmers Publication Library

Highly linear 1-3 GHz GaN HEMT low-noise amplifier

Författare och institution:
Pirooz Chehrenegar (GigaHertz Centrum & Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik); Morteza Abbasi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik); Jan Grahn (GigaHertz Centrum & Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik); Kristoffer Andersson (GigaHertz Centrum & Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Publicerad i:
2012 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2012, Montreal, 17-22 June 2012,
ISBN:
978-146731087-1
ISSN:
0149-645X
Publikationstyp:
Konferensbidrag, refereegranskat
Publiceringsår:
2012
Språk:
engelska
Fulltextlänk:
Sammanfattning (abstract):
A highly linear low-noise amplifier (LNA) based on a commercial Gallium Nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) technology is presented. The amplifier can be operated at three frequency bands of 1, 2 and 3 GHz. The maximum measured gain is 31 dB at 1GHz and the output referred third-order intercept point (OIP3) is constant for all three frequency bands and equal to 41±1 dBm at a power consumption of L.2 W. A minimum noise figure (NF) of 0.5 dB is measured for the amplifier at the same bias point demonstrating the simultaneous linearity and low noise performance. The presented performance together with the reasonably low power consumption is outstanding in comparison with recently published amplifiers in GaN technology and available commercial GaAs LNAs.
Ämne (baseras på Högskoleverkets indelning av forskningsämnen):
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER ->
Elektroteknik och elektronik
Nyckelord:
GaN, HEMT, High dynamic range, Linearity, Low Power consumption, Low-noise amplifier
Postens nummer:
164636
Posten skapad:
2012-10-11 18:33

Visa i Endnote-format