CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Cryogenic 0.5-13 GHz low noise amplifier with 3 K mid-band noise temperature

Joel Schleeh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Wadefalk (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; J. Piotr Starski (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Göran Alestig (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; John Halonen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Bengt Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Anna Malmros (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
2012 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2012, Montreal, 17-22 June 2012 (0149-645X). (2012)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

A 0.5-13 GHz cryogenic MMIC low-noise amplifier (LNA) was designed and fabricated using a 130 nm InP HEMT process. A packaged LNA has been measured at both 300 K and 15 K. At 300 K the measured minimum noise temperature was 48 K at 7 GHz. At 15 K the measured minimum noise temperature was 3 K at 7 GHz and below 7 K within the entire 0.5-13 GHz band. The gain was between 34 dB and 40 dB at 300 K and between 38 dB and 44 dB at 4 K.

Nyckelord: Bandwidth, Cryogenic, HEMT, InGaAs, Low noise amplifier (LNA)



Denna post skapades 2012-10-11.
CPL Pubid: 164634

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)