CPL - Chalmers Publication Library

Cryogenic 0.5-13 GHz low noise amplifier with 3 K mid-band noise temperature

Författare och institution:
Joel Schleeh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik); Niklas Wadefalk (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik); Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik); J. Piotr Starski (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik); Göran Alestig (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet); John Halonen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet); Bengt Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet); Anna Malmros (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik); Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik); Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Publicerad i:
2012 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2012, Montreal, 17-22 June 2012,
ISBN:
978-146731087-1
ISSN:
0149-645X
Publikationstyp:
Konferensbidrag, refereegranskat
Publiceringsår:
2012
Språk:
engelska
Fulltextlänk:
Sammanfattning (abstract):
A 0.5-13 GHz cryogenic MMIC low-noise amplifier (LNA) was designed and fabricated using a 130 nm InP HEMT process. A packaged LNA has been measured at both 300 K and 15 K. At 300 K the measured minimum noise temperature was 48 K at 7 GHz. At 15 K the measured minimum noise temperature was 3 K at 7 GHz and below 7 K within the entire 0.5-13 GHz band. The gain was between 34 dB and 40 dB at 300 K and between 38 dB and 44 dB at 4 K.
Ämne (baseras på Högskoleverkets indelning av forskningsämnen):
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER ->
Elektroteknik och elektronik
Nyckelord:
Bandwidth, Cryogenic, HEMT, InGaAs, Low noise amplifier (LNA)
Postens nummer:
164634
Posten skapad:
2012-10-11 17:31

Visa i Endnote-format