CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Investigation of gate edge effects on interface traps densities in 3C-SiC MOS capacitors

T. Gutt ; T. Malakowski ; H. M. Przewlocki ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; M. Bakowski ; R. Esteve
Material Science and Engineering B (2161-6221). Vol. 177 (2012), p. 1327.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2012-09-11. Senast ändrad 2012-12-03.
CPL Pubid: 163183