CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

AlSb nucleation induced anisotropic electron mobility in AlSb/InAs heterostructures on GaAs

L. Desplanque ; S. El Kazzi ; J. L. Codron ; Y. Wang ; P. Ruterana ; Giuseppe Moschetti (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; X. Wallart
Applied Physics Letters (0003-6951). Vol. 100 (2012), 26,
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

The influence of the growth conditions at the AlSb/GaAs interface on the electron mobility in AlSb/InAs heterostructures is investigated. We show that an excessive antimony flux during the initial stage of the AlSb buffer growth leads to a strong anisotropy of electron mobility in InAs between [110] and [1-10] crystallographic orientations. This anisotropy is attributed to the formation of trenches oriented along the [1-10] direction in the InAs channel. Transmission electron microscopy reveals that these trenches are directly related to twinning defects originating from the AlSb/GaAs interface.

Nyckelord: semiconductor, layers, inas, hemt



Denna post skapades 2012-09-04. Senast ändrad 2015-07-02.
CPL Pubid: 162863

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur