CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Development of a 557 GHz GaAs monolithic membrane-diode mixer

Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ; GigaHertz Centrum) ; Vladimir Drakinskiy (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ; GigaHertz Centrum) ; Peter Sobis (GigaHertz Centrum) ; Johanna Hanning (GigaHertz Centrum ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Aik Yean Tang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ; GigaHertz Centrum) ; Jan Stake (GigaHertz Centrum ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (1092-8669). p. 102-105. (2012)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We present the development of a monolithically integrated 557 GHz membrane Schottky diode mixer. RF test shows state-of-the-art performance with an optimum receiver noise temperature below 1300 K DSB and an estimated mixer DSB conversion loss of 9 dB and a mixer DSB noise temperature of 1100 K including all losses.

Nyckelord: Schottky diodes, membrane circuits, submillimeter wave mixers, receivers


Compound Semiconductor Week 2012, University of California, Santa Barbara, USA. August 27-30, 2012.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2012-08-29. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 162705

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)