CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

H-band MMIC amplifiers in 250 nm InP DHBT

Klas Eriksson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Vessen Vassilev (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
19th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications, MIKON 2012, Warsaw, 21-23 May 2012 Vol. 2 (2012), p. 744-747.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

In this paper, single-stage and multistage amplifiers of two different topologies, common-base with resistive feedback and common-emitter, operating at up to 290 GHz are presented and demonstrated. The amplifiers use an indium-phosphide (InP) double-heterojunction bipolar transistor (DHBT) process. The multistage common-emitter amplifier demonstrates a gain above 10 dB from 220 to 280 GHz with a peak gain of 15 dB while the multistage common-base amplifier demonstrates a gain of 16 dB at 265 GHz.

Nyckelord: Amplifier, H-band, InP double-heterojunction bipolar transistor (DHBT), millimeter-wave, monolithic microwave integrated circuit (MMIC)

Denna post skapades 2012-08-27. Senast ändrad 2017-03-21.
CPL Pubid: 162603


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik


Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur