CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Admittance spectroscopy of Si/LaLuO3 and Si/GdSiO MOS Structures (Invited)

F. Ducroquet ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; H. D. B. Gottlob ; J. M. J. Lopes ; J. Schubert
ECS Transactions (1938-5862). Vol. 45 (2012), 3, p. 103 - 117.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2012-08-23. Senast ändrad 2012-12-03.
CPL Pubid: 162523