CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Development of Uni-Travelling-Carrier Photodiodes

Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Henrik Sunnerud (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Peter Andrekson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi)
4th ESA Workshop on Millimetre Wave Technology and Applications (2006)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We have fabricated and characterized InGaAsP/InP uni-travelling-carrier photodiodes (UTC-PDs). An UTC-PD layer structure in the material system InGaAlAs/InP was also designed and grown with in-house molecular beam epitaxy (MBE). Using standard III-V processing involving lithography, metallization and etching, diodes of different sizes have been fabricated. Time domain and eye-diagram measurements have been performed. Limitations in the measurement system were identified and compensated for when measuring the bandwidth. The resulting bandwidth is in agreement with the area dependent RC-limitation which was estimated using quasi-DC capacitance-voltage (C-V) measurements.

Nyckelord: p-i-n photodiodes, photodetectors, InP, InGaAs



Denna post skapades 2007-03-08. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 16219

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi (2006-2007)

Ämnesområden

Fotonik
Elektronik

Chalmers infrastruktur