CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High efficiency W-band HBV Tripler and Device Reliability Studies

Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi) ; T. Arezoo Emadi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Bue Frederic ; Nicolas Vellas ; Byron Alderman
4th ESA Workshop on Millimetre Wave Technology and Applications (2006)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We report on the design and MBE-growth of heterostructure barrier varactor (HBV) diode materials. The quality and performance of in-house HBV materials are presented. Furthermore, temperature operating life tests of the HBV diodes indicate a maximum operating temperature of 180°C before onset of severe degradation. Finally, a state-of-the-art tripler efficiency of 21% for a W-band tripler has been demonstrated using planar 2x2-barrier HBV diodes (Chalmers MBE766).

Nyckelord: HBV, frequency multiplier, reliability study, millimetre wave source



Denna post skapades 2007-03-08. Senast ändrad 2017-01-27.
CPL Pubid: 16218

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi (2006-2007)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet

Ämnesområden

Elektronik
Elektrofysik

Chalmers infrastruktur