CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

10 dB small-signal graphene FET amplifier

Michael Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Omid Habibpour (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
Electronics Letters (0013-5194). Vol. 48 (2012), 14, p. 861-863.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Reported is the realisation of a graphene FET microwave amplifier operating at 1 GHz, exhibiting a small-signal power gain of 10 dB and a noise figure of 6.4 dB. The amplifier utilises a matching inductor on the gate yielding a return loss of 20 dB. The design is optimised for maximum gain and the optimum noise figure is extracted by noise modelling and predicted to be close to 1 dB for the intrinsic graphene FET at this frequency. The presented results complement existing graphene FET applications and are promising for future graphene microwave circuits.

Nyckelord: Graphene FETs, noise figure, noise measurements, microwave amplifiers



Denna post skapades 2012-07-05. Senast ändrad 2017-01-27.
CPL Pubid: 160131

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)